隨著晶閘管模塊的廣泛應用，其觸發控制線路的設計問題也隨之體現出來，傳統的脈沖變壓器觸發線路設計復雜、成本高、分立元件多及故障率高，在使用中急需可靠性高、線路簡單、成本低的模塊化觸發電路。

利用 MOC 系列光電耦合器 做驅動電路的觸發模塊應運而生。但由于 光電耦合器 的斷態電壓臨界上升率參數（ dv/dt ）比較低（只有 600V/ μ s ），因而不可避免的造成在初始上電時會給晶閘管一個觸發脈沖，造成晶閘管瞬間誤導通現象。這種瞬間誤導通，不僅給負載造成損害，也給電網帶來電流沖擊，影響電網質量，并且給晶閘管模塊也帶來極大的浪涌電流沖擊。在工業加熱、烘箱、烘房加熱及無功功率補償中電容投切的實際使用中，由于加熱器在冷態電阻很小及電容在初始狀態時電阻趨近于零，因此，經常發生上電時的涌流損壞晶閘管模塊。

為了避免上述現象，增加觸發功率，齊齊哈爾齊力達電子有限公司開發了 QTM 系列觸發塊。它采用高 dv/dt 參數的大功率器件 IGBT （ dv/dt 參數達到 5000V/ μ s ）做驅動元件，不僅提高了驅動能力，而且有效的避免了晶閘管模塊上電時的誤導通現象。

1、工作原理

工作原理框圖見圖1

外界控制信號加到觸發塊的控制端時，經過內部的光電隔離器件加到 IGBT 的驅動控制電路，驅動電路輸出高電位并輸出到 IGBT 的柵極，柵極的高電位驅動 IGBT 導通， IGBT 通過電壓轉換電路提供的能量輸出觸發電流，驅動晶閘管導通。

當負載端由于某種原因出現過大的電流時，觸發模塊內部的保護電路會動作，使 IGBT 的柵極電壓變為低電平，使 IGBT 由導通變為截止。因此 IGBT 不會因為過電流而過熱損壞。

當電網中出現過高的電壓脈沖時，內部保護電路也會動作并泄放掉高電壓，以保護 IGBT 不會因過電壓而擊穿損壞。

在觸發塊中還設計了干擾抑制電路以濾除電網中的各種干擾脈沖，防止因干擾脈沖造成的誤觸發。

根據觸發方式，模塊分為電壓過零觸發和隨機觸發兩種：QTM400為過零型觸發模塊，QTM401為隨機型觸發模塊。

2、特點

QTM400 系列觸發模塊采用 PCB 線路板直插式的焊接安裝方式，具有連接可靠、使用方便、尺寸小的特點，它強大的門極觸發功率適用于各種電流容量的晶閘管；輸入與輸出之間采用光電隔離，絕緣電壓不小于交流 5300V ，適用于額定電壓在 110V-380V AC 的主電路。

圖2為QTM型觸發模塊驅動一晶閘管模塊時的測試波形，圖3為MOC系列光電耦合器驅動同一模塊的測試波形。

圖2 QTM系列觸發模塊測試波形

圖3 MOC光耦驅動的觸發模塊測試波形

圖2中的縱坐標每方格為5V，圖3中的縱坐標每方格為20V；兩圖中的橫坐標每方格均為2ms即2000μs，每小格為400μs。

通過圖2和圖3的比較可以看出， QTM 系列觸發模塊的過零觸發開通電壓不到 10V ， 而 MOC 光電耦合器驅動的過零觸發模塊的觸發開通電壓達到 30V 以上 ； QTM 系列觸發模塊的過零觸發開通時間不到 400μs ，而光電耦合器驅動的過零觸發模塊的觸發開通時間超過 700μs 。

QTM型觸發模塊具有很低的開通電壓和短的開通時間，不僅減小了對負載的電流沖擊，而且避免了晶閘管模塊在開通時諧波的產生，從而減小和避免了對電網質量的干擾。